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烟台网站建设科技,成都平台网站开发公司,淮安专业做网站,滴滴优惠券网站怎么做的MOS管中的寄生二极管#xff08;也称体二极管#xff09;是由于其制造工艺和物理结构自然形成的#xff0c;并非人为添加。它就像一把“双刃剑”#xff0c;用好了能保护电路#xff0c;处理不当则可能带来麻烦。核心成因#xff1a;工艺与结构MOS管寄生二极管的产生也称体二极管是由于其制造工艺和物理结构自然形成的并非人为添加。它就像一把“双刃剑”用好了能保护电路处理不当则可能带来麻烦。核心成因工艺与结构MOS管寄生二极管的产生主要源于其制造工艺和内部物理结构。结构基础 - PN结以N沟道MOSFET为例其源极S和漏极D是N型半导体区域而衬底Body/B 是P型半导体。这自然在源极与衬底、漏极与衬底之间形成了PN结关键连接 - 衬底接源极在生产制造时通常需要将P型衬底与源极S短接在一起。这一连接使得源极与衬底之间的PN结被短路失效而漏极与衬底之间的PN结则被保留下来并暴露在源极和漏极之间这就构成了我们所说的“寄生二极管”方向性正是由于上述结构对于N沟道MOS管寄生二极管的方向是从源极指向漏极S → D。对于P沟道MOS管其半导体类型相反P源漏N衬底因此寄生二极管的方向也相反是从漏极指向源极D → S利用其特性进行设计寄生二极管并非总是麻烦在许多电路设计中它可以被巧妙利用续流与箝位这是寄生二极管最重要和有益的用途。在驱动感性负载如电机、继电器的开关电路中当MOS管突然关断时电感会试图维持电流流动。此时寄生二极管提供了续流路径避免在漏极产生破坏性的高压尖峰保护MOS管不被击穿有限度的防反接保护在一些简单电路中寄生二极管的存在可以防止因电源接反立即导致MOS管彻底损坏。但需注意这并非可靠的防反接方案敏感电路仍需专门的保护电路。吸收瞬间过压寄生二极管能帮助吸收一些瞬间的过压或静电ESD起到一定的保护作用应对其带来的挑战额外的功耗与发热当寄生二极管导通时其正向压降约0.7V~1.5V远高于MOS管本身的导通压降会产生额外的导通损耗导致效率降低和器件发热反向恢复问题这是高频开关电路如开关电源、桥式电路中的主要挑战。当MOS管导通时若其寄生二极管正处于导通续流状态MOS管的导通过程会强制该二极管从正向导通转为反向截止。二极管存在的反向恢复时间Trr 会产生一个很大的瞬态反向恢复电流尖峰导致显著的开关损耗降低效率。电磁干扰EMI 和噪声。可能加剧器件应力甚至引起电路震荡限制开关速度寄生二极管的反向恢复特性会影响MOS管的整体开关速度电路设计注意事项与技巧为了最大化利用益处并最小化负面影响设计时需注意正确连接MOS管确保寄生二极管的方向与你的电路设计意图相符。例如用作开关时NMOS的寄生二极管负极阴极应接输入侧正极阳极接输出或地否则无法实现正常开关功能关注器件选型查阅数据手册特别注意寄生二极管的正向压降Vf、反向恢复时间Trr、最大可承受反向电压通常与MOS管的Vds额定值相同和峰值电流能力。高频应用应选择Trr小或采用先进工艺如碳化硅SiC的器件。优化电路拓扑与驱动设置死区时间在H桥等桥式电路中必须设置合理的死区时间确保一个桥臂的MOS管完全关断后另一桥臂的才开启防止上下管直通短路。此时负载电流就依靠寄生二极管进行续流增加外部并联二极管有时可在MOS管DS极间并联一个低压降、快恢复的肖特基二极管。这样续流电流会优先通过肖特基二极管从而减少功耗和恢复时间的影响散热考虑若预估寄生二极管会通过较大电流或长时间工作必须仔细计算热损耗并设计足够的散热措施。MOS管的寄生二极管是一把“双刃剑”。它既是续流保护的“天然卫士”也可能是效率与噪声的“隐藏杀手”。成功的电路设计在于充分理解其特性明确其在具体应用中是利大于弊还是弊大于利从而通过恰当的电路结构、器件选型和策略如同步整流、死区控制来扬长避短。