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网站建设视频百度云,玉林建设工程信息网站,wordpress 目录插件,数据标签wordpressNo.15 SiC MOSFETs#xff0c;SiC MOSFET#xff0c;器件模型#xff0c;基于MATLAB/simulink#xff0c;与simulink自带的IGBT/ MOSFETs模型具有同样的接口#xff0c;可以适配逆变器/电机控制等系统级控制仿真。相比simulink自带模型#xff0c;该模型具有实际(非理想)…No.15 SiC MOSFETsSiC MOSFET器件模型基于MATLAB/simulink与simulink自带的IGBT/ MOSFETs模型具有同样的接口可以适配逆变器/电机控制等系统级控制仿真。 相比simulink自带模型该模型具有实际(非理想)的器件特性包括导通电压开关特性且能够计算导通损耗和开关损耗。最近在搞电机驱动仿真的时候被Simulink自带的IGBT模型坑惨了——这货的开关特性太理想化了实测波形和仿真结果差得离谱。直到发现有个叫SiC MOSFET的第三方模型包突然打开了新世界的大门。这模型最骚的操作是完美兼容Simulink原生接口。比如咱们原先用的IGBT模块长这样g IGBT(Inputs, {g}, Outputs, {c, e});换装SiC MOSFET只需要改个名字sic SiC_MOSFET(Inputs, {g}, Outputs, {d, s});但内核完全不是一回事自带的MOSFET参数设置界面只能填个Ron、Lon而新模型的参数表里连米勒电容的温度特性曲线都能塞进去。实测开关波形中的拖尾电流明显多了个小肚子这细节对计算开关损耗太关键了。说到损耗计算模型内置的损耗统计模块简直是白嫖党的福音。之前要自己搭损耗计算公式现在直接调用[E_sw, E_cond] sic.getLosses(TimeSpan, T);返回的开关损耗和导通损耗直接带温度补偿系数。记得第一次跑完仿真看到损耗分布热图时老张一拍大腿这就对了之前算的效率虚高了2%不过有个坑得注意模型默认参数是针对某大厂1200V器件的要是手头用的国产SiC得去.m脚本里改这几个关键参数% 修改寄生电感参数 sic.Ls 5e-9; % 原厂7nH sic.Coss 150e-12; % 输出电容 % 调整跨导曲线 sic.gm (vgs) 0.8*(vgs-2.5).^2;改完记得用验证脚本跑个双脉冲测试波形对不上八成是跨导曲线没设准。最近拿这个模型做三电平逆变器仿真发现个有趣现象当开关频率超过50kHz时死区时间引起的谐波失真比硅基器件还严重。模型里的非线性结电容特性完美复现了这个现象这在系统级仿真里简直就是开挂啊最后扔个干货——如何在系统仿真里调用这个模型把原来的IGBT模块直接替换成SiC_MOSFET类在初始化脚本里加载器件参数库把仿真步长压缩到10ns级别心疼算力损耗统计模块接个示波器就能看实时效率这么一套下来仿真报告里的效率曲线终于能和实验数据对上了。现在唯一担心的是用了这模型之后手头那台服役十年的工作站还能不能撑得住...