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网站浮动广告代码,东莞市出行防疫政策,微商城开发流程,公司网站本地如何弄ALD工艺前是如何去除自然氧化物的#xff1f;什么是自然氧化物#xff1f;在硅#xff08;Si#xff09;、锗#xff08;Ge#xff09;等半导体表面#xff0c;只要出现了裸露的新鲜表面#xff0c;并与含氧环境接触#xff08;空气、DI Water、臭氧等#xff09;什么是自然氧化物在硅Si、锗Ge等半导体表面只要出现了裸露的新鲜表面并与含氧环境接触空气、DI Water、臭氧等就会在室温下自发形成一层极薄氧化层——这就是自然氧化物。这种反应通常是非常迅速的会在硅表面形成一层极薄的二氧化硅 层厚度通常在 10-20 埃左右。一旦这层氧化层形成它会阻止氧气进一步扩散到内部因此称为“自然氧化物”。为什么要在ALD之前去除这层自然氧化物自然氧化物带来的问题通常体现在三类工艺节点自然氧化物质量很差且是不良绝缘体。如果不去除会导致接触电阻变大在 Contact 工艺中或者阻碍后续的高质量外延生长。自然氧化层的去除方法传统的去除方法是湿法腐蚀使用稀氢氟酸 DHF但是湿法腐蚀在高端制程中会存在一些问题再氧化水痕等干燥问题。因此可采用新型的干法清洗工艺(COR)工艺分两步第一步表面反应/改性原理 利用气态的氟化氢 (HF) 和氨气 (NH3) 在较低温度下吸附到晶圆表面进行反应。工艺条件 晶圆温度控制在 20~80°C。化学反应HF和 NH3 与表面的 SiO2 反应生成固态的氟硅酸铵盐(NH₄)₂SiF₆AFS。方程式SiO2 6HF 2NH3----》(NH4)2SiF6 2H2O。(NH₄)₂SiF₆AFS是一层“可挥发/可升华”的改性产物。第二步蒸发/升华原理 对晶圆进行加热使第一步生成的固态副产物分解并升华成气体被带走。工艺条件 加热至 100~200°C。过程 固态的(NH4)2SiF6分解为 SiF4, NH3, HF 等气体从而暴露出清洁的硅表面。特性 这个过程有多少盐就蒸发多少。COR法相比湿法的优势1极高的选择比 COR 几乎只腐蚀氧化硅完全不损伤底层的硅。这对于超浅结器件至关重要。2适用性广 不仅可以去除 SiO2也可以清洗锗氧化物 (Ge Oxide)。3无等离子体损伤 这是一个纯化学热反应过程避免了物理轰击带来的晶格损伤。4便于集成 因为是干法工艺它可以直接与沉积设备如 ALD 或 Epi 反应腔集成在同一个真空传输平台上。这意味着清洗后晶圆无需暴露在大气中即可直接进行沉积彻底杜绝了自然氧化物的二次生长。