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镇江方圆建设监理咨询有限公司网站,专业网站制作团队专业网站制作团队,购物网站建设渠道,seo品牌推广方法门极可关断晶闸管GTO晶闸管的一种派生器件;通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;开关速度快#xff0c;饱和程度相比晶闸管浅#xff0c;更容易退出饱和关断;电压电流容量大#xff0c;与普通晶闸管接近。图左是晶闸管 #xff0c; 图右是GTO主要参数最大可关断阳极电流IAT…门极可关断晶闸管GTO晶闸管的一种派生器件;通过在门极施加负的脉冲电流使其关断;开关速度快饱和程度相比晶闸管浅更容易退出饱和关断;电压电流容量大与普通晶闸管接近。图左是晶闸管 图右是GTO主要参数最大可关断阳极电流IAT0用来标称GT0额定电流。电流关断增益βoff最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGMf之比。βoff一般很小只有5左右这是GT0的一个主要缺点。原因如果最大可关断阳极电流是1000A的话如果我们想要关断这个器件就要施加200A的电压电力晶体管GTR在应用中GTR一般采用共发射极接法。集电极电流Ic与基极电流Ib之比为β是电流放大系数给这张图要知道每个区在什么位置GTR的工作区域:饱和区和截止区GTR导通时通常工作在准饱和区:此时容易退出饱和状态实现迅速关断;为了避免工作在放大区功耗过大而损害器件在导通截止两种状态转化过程中应该迅速通过放大区。二次击穿现象当GTR的集电极电压升高至击穿电压时集电极电流迅速增大这种首先出现的击穿是雪崩击穿被称为一次击穿。出现一次击穿后只要I不超过与最大允许耗散功率相对应的限度GTR一般不会损坏。但是实际应用中常常发现一次击穿发生时如不有效地限制电流I.增大到某个临界点时会突然急剧上升同时伴随着电压的陡然下降这种现象称为二次击穿。二次击穿常常立即导致器件的永久损坏。内部出现电流集中点引起局部过热使GTR彻底损坏管壳却觉不到热。对GTR危害极大。安全工作区SOA了解即可二次击穿临界线Psb最高电压UceM集电极最大电流IcM最大集电极耗散功率PcM电力场效应晶体管小功率MOS管模电是横向导电器件电力MOSFET电力电子大都采用垂直导电结构面积大电流大多胞结构栅极绝缘低掺杂电阻率大耐压高;电力场效应管是一种单极性器件所以无电导调制效应通态电阻大反并联的二极管输出特性:是漏极伏安特性。非饱和区(对应于GTR的饱和区)非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。饱和区(对应于GTR的放大区)饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加截止区(对应于GTR的截止区)通态电阻具有正温度系数对器件并联时的均流有利。绝缘栅双极晶体管IGBTIGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构一个由MOSFET驱动的PNP晶体管。优缺点IGBT GTR GTO MSOFETIGBT:电压驱动驱动功率小开关速度低于电力MOSFET电流容量低于GTOGTR :电流驱动驱动功率大开关速度低耐压高电流大GTO电流驱动驱动功率大具有电导调制效应电流增益小开关速度低电力MOSFET开关速度高电压驱动 驱动简单适用于10kw的电力电子装置